“存储价格2023年三季度已走出历史底部，2024年为首轮强反弹，2024年四季度至2025年上半年的‘回调+品类分化’小周期后，真正全面、宽基的强上行大概率在2026年兑现。”研究人员称，本轮周期的核心驱动是需求错配、资本开支与技术迁移，周期或将持续到2026年末甚至2027年。
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然而，本轮涨价与以往周期最大的不同在于一个关键变量——HBM（高带宽内存）的爆发式增长。AI芯片（如英伟达H200/B200）对HBM的需求是传统DRAM的数倍甚至数十倍。三大原厂将大量先进制程产能转向HBM，挤占了原本用于生产手机LPDDR（低功耗内存）的产能。这种“结构性短缺”成为本轮涨价的核心推手。